Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci
20 marca 2013, 17:19Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.
Najszybszy grafenowy tranzystor
22 grudnia 2008, 12:33IBM poinformował o stworzeniu najbardziej wydajnego grafenowego tranzystora polowego. Urządzenie, które może pracować z najwyższymi notowanymi dotąd częstotliwościami, powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Applications (CERA).
Silicenowy tranzystor
4 lutego 2015, 13:41Włosko-amerykańskiemu zespołowi naukowców udało się zbudować pierwszy tranzystor z silicenu. Materiał ten to alotropowa, jednoatomowa odmiana krzemu, tworząca pofałdowaną warstwę przypominającą plaster miodu.
Teoretyczna pamięć fononowa
8 stycznia 2009, 12:34Lei Wang i Baowen Li, naukowcy z Singapuru badają możliwość wyprodukowania urządzeń przechowujących dane, które miałyby działać nie dzięki zmianom napięcia, a zmianom temperatury (falom cieplnym).
Prawo Moore'a przetrwa CMOS
3 lutego 2016, 09:59Prawo Moore'a przeżyje technologię CMOS i będzie obowiązywało w odniesieniu do przyszłych technik wytwarzania układów scalonych, uważa Wiliam Holt z Intela. Holt, odpowiedzialny w Intelu za wydział technologii i produkcji, nie zdradził, którą z technologii mających zastąpić CMOS wdroży jego firma
Nowa metoda na elektronikę
20 lutego 2009, 12:47Naukowcy z University of Pittsburgh opracowali platformę do tworzenia różnego rodzaju niezwykle małych układów elektronicznych. Ta sama technika może być użyta zarówno do produkcji kości pamięci, jak i procesorów.
Zawirusowane pamięci
5 października 2006, 10:49Miliony wirusów w układzie scalonym to raczej przerażająca wizja dla każdego właściciela komputera. Co innego, gdy nie są to wirusy komputerowe, a prawdziwe mikroorganizmy.
Memrystory bardziej przydatne niż sądzono
9 kwietnia 2010, 11:42Badacze z HP ogłosili, że memrystor, opracowany niedawno czwarty (po oporniku, kondensatorze i cewce) podstawowy obwód pasywny, ma większe możliwości niż dotychczas przypuszczano. Okazało się bowiem, że memrystor jest nie tylko w stanie przechowywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia.
Najszybszy tranzystor na świecie
13 grudnia 2006, 21:08Naukowcy z University of Illinois pobili swój własny rekord. Zaprezentowali bowiem najszybszy tranzystor na świecie.
Intel pracuje nad bezpołączeniowym tranzystorem
22 września 2010, 11:29Intel podpisał opiewającą na 1,5 miliona dolarów umowę o współpracy badawczej z Tyndall National Institute znajdującym się na irlandzkim University of Cork. Umowa przewiduje wspólne prace nad stworzonym przez Irlandczyków pierwszym tranzystorem bezpołączeniowym.
